机译:射频分子束外延在3C-SiC衬底上生长的立方In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱中局部激子的复合动力学
Institute of Applied Physics and Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan;
机译:3C-SiC / Si(001)上立方相InxGa1-xN / GaN多量子阱中局部激子的重组动力学
机译:在通过横向外延过度生长制备的GaN模板上生长的非极性(1120)In_xGa_(1-x)N多量子阱中的局部激子动力学
机译:在(311)B GaAs衬底上分子束外延生长的GaAs_(1-x)Bi_x / GaAs量子阱的激子定位和结构无序
机译:射频等离子体辅助分子束外延在3C-SiC衬底上立方InGaN / GaN多量子阱的光学性质
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:分子束外延生长GaN基体中准2D InGaN的激子发射
机译:射频-辐射辅助选择性分子束外延在预图案化衬底上生长AlGaN / GaN量子线结构。