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机译:具有InGaAsP隔离层和复合集电极结构的InGaAs / InGaAsP异质结双极晶体管的温度相关直流特性
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng-Kung University, Tainan, Taiwan 70101, Republic of China;
机译:在基极-集电极结处具有InGaAsP隔离层的InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
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机译:具有双异质结构的有趣InP / InGaAs隧穿发射极双极晶体管的直流特性研究
机译:InGaAsP双异质结构双极晶体管的低功耗高增益
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
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