机译:λ〜1.57μm的InGaAsP / InGaAsP MQW DCPBH激光器的制备和调制特性
机译:λ〜1.3μmInGaAsP / InGaAsP MQW PBH激光器的器件特性和金属电介质高反射率涂层分析
机译:用于直接调制应用的InGaAsP―InGaAlAs 1.55μm应变补偿MQW激光器的设计优化
机译:高性能InGaAsP-InP 1.5μmDCPBH激光二极管,具有生长的LP-OMVPE本体和MQW有源层
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过倾斜聚焦离子束蚀刻获得1.57μmInGaAsP / InP表面发射激光器
机译:高功率脉冲操作加宽波导1.5 m InGaasp / Inp mQW激光器的设计与实现