机译:高频变化对双频叠加电容耦合等离子体中ArF光刻胶和氮化硅层刻蚀特性的影响
School of Materials Science and Engineering and Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, Suwon, Kyunggi-do 440-746, Korea;
机译:在双频叠加电容耦合等离子体中,Si_3N_4层对ArF光致抗蚀剂具有极高的蚀刻选择性
机译:基于C_4F_6和C_4F_8的双频叠加电容耦合等离子体中的ArF光刻胶对SiO_2蚀刻特性的比较
机译:CH_2F_2和H_2流量对双频CH_2F_2 / H_2 / Ar电容耦合等离子体中氮化硅对ArF PR的无限蚀刻选择性的工艺窗口的影响
机译:通过双频电容耦合等离子体氧化物蚀刻器自对准触点蚀刻的193nm ARF光致抗蚀剂的变形
机译:合理设计超低k介电材料的无损电容耦合等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺。
机译:具有多层底部反射器的高效氮化硅波导光栅耦合器
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:氮化硅钝化层变化对电子辐照氮化铝镓/氮化镓HEmT结构的影响