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机译:CH_2F_2和H_2流量对双频CH_2F_2 / H_2 / Ar电容耦合等离子体中氮化硅对ArF PR的无限蚀刻选择性的工艺窗口的影响
机译:在双频CH_2F_2 / H_2 / Ar电容耦合等离子体中蚀刻具有极端紫外线抗蚀剂图案的氮氧化硅期间的无限蚀刻选择性和线边缘粗糙度变化
机译:气体流速对CH_2F_2 / N_2 / Ar电容耦合等离子体中具有极紫外光刻胶图案的氮化硅刻蚀特性的影响
机译:在双频电容耦合C_4F_8 / CH_2F_2 / O_2 / Ar等离子体中SiO_2对CVD非晶碳掩模的蚀刻选择性的改善
机译:通过双频电容耦合等离子体氧化物蚀刻器自对准触点蚀刻的193nm ARF光致抗蚀剂的变形
机译:在高密度,低压,感应耦合碳氟化合物等离子体中选择性蚀刻二氧化硅的机制
机译:用于光伏制造工艺的双频电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统的负电阻现象