机译:极紫外化学放大抗蚀剂中的敏化剂:提高灵敏度的机理
IMEC, Leuven, Belgium,KU Leuven, Department of Chemistry, Leuven, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
Osaka University, Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka, Japan,National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Takasaki, Japan;
IMEC, Leuven, Belgium;
Osaka University, Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka, Japan;
IMEC, Leuven, Belgium,KU Leuven, Department of Chemistry, Leuven, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
extreme ultraviolet lithography; chemically amplified resist; metal sensitizer; acid yield; dissolution rate;
机译:低于10nm半节距分辨率区域中化学放大的极端紫外线抗蚀剂的敏化剂浓度与抗蚀剂性能之间的关系
机译:极紫外光刻中化学放大抗蚀剂线边缘粗糙度形成中感光距离与光子散粒噪声的关系
机译:聚(羟基苯乙烯)-和聚丙烯酸酯-基化学放大的酸产生机理之间的区别在于暴露于极紫外辐射下
机译:EUV化学增强型抗蚀剂中的敏化剂:灵敏度提高的机理
机译:基于断链机理的193 nm光刻技术探索非化学放大抗蚀剂。
机译:极紫外自由电子激光器中的脉冲放大
机译:极端紫外线的敏感剂化学放大抗蚀剂:敏感性改善机制