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机译:Al / HfO_2 / Si电容器中用于栅极氧化物应用的高k HfO_2薄膜的复阻抗谱
Department of Physics, National Institute of Technology Silchar, Silchar 788010, Assam, India;
Department of Physics, National Institute of Technology Silchar, Silchar 788010, Assam, India;
机译:负责RF溅射的HFO_2高k栅极氧化物薄膜MOS电容器中泄漏电流的传导机制
机译:通过阳极氧化生长或通过溶胶-凝胶沉积的具有HfO_2高k栅极电介质的有机薄膜晶体管
机译:未来金属-绝缘体-金属电容器用多层介电薄膜的比较:Al_2O_3 / HfO_2 / Al_2O_3与SiO_2 / HfO_2 / SiO_2
机译:电子旋转共振叠层超薄高k金属氧化物堆中的探测点缺陷:Si / Hfo_2对GE / HFO_2系统
机译:使用叔丁醇ha(IV)通过CVD和PECVD沉积的固态晶体管栅极应用的based基高k薄膜的特性表征。
机译:La0.6Sr0.4CoO3-δ薄膜的电化学特性通过互补阻抗谱和同位素交换深度分析研究
机译:MOS电容器中作为栅极电介质的二氧化铈高k薄膜的合成