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机译:两步法制备低压ZnO压敏电阻
Department of Inorganic Materials Engineering, College of Engineering (400), Seoul National University, Seoul 151-742, South Korea;
机译:化学共沉淀法制备的低压ZnO压敏电阻的降解特性
机译:两步烧结对稀土(RE = Y_2O_3,Pr6O_(11))掺杂的'纳米前体'粉末加工的ZnO-Bi_2O_3压敏电阻的影响
机译:通过两步掺杂工艺制备的Al掺杂ZnO压敏电阻
机译:工艺变量对低压ZnO压敏电阻微结构和电性能的影响
机译:低温溶液处理低压IGZO TFT的制备,表征和应用
机译:优化Bi2O3TiO2和Sb2O3掺杂的ZnO基低压压敏陶瓷的性能以最大化非线性电性能
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:重新开始制造用于铁电中子发生器电源的ZnO压敏电阻的化学制备工艺。