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Transphorm Releases First JEDEC-Qualified 600 Volt GaN on Silicon Power Devices

机译:Transphorm在硅功率器件上发布首个通过JEDEC认证的600伏GaN

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摘要

2013 MAR 27 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- Transphorm Inc. announced the Total GaN™ family of GaN (Gallium Nitride) on silicon transistors and diodes, establishing the world's first JEDEC-qualified 600 V GaN device platform. This marks a significant milestone in the broad adoption of GaN-based power electronics in power supplies and adapters, PV inverters for solar panels, motor drives, as well as power conversion for electric vehicles.
机译:2013年3月27日(垂直新闻)-工程新闻杂志的新闻记者-工作人员新闻编辑-Transphorm Inc.宣布在硅晶体管和二极管上的Total GaN™系列GaN(氮化镓),建立了世界上第一个通过JEDEC认证的产品600 V GaN器件平台。这标志着在电源和适配器,太阳能电池板的光伏逆变器,电机驱动器以及电动汽车的电源转换中广泛采用基于GaN的电力电子技术的重要里程碑。

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