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硅微通道散热GaN微波功率器件

摘要

本实用新型涉及硅微通道散热GaN微波功率器件,包括GaN微波功率器件本体、Si微通道散热器和焊料层,其中Si微通道散热器的底部开设有多个微通道,GaN微波功率器件本体通过焊料层与Si微通道散热器远离多个微通道的表面粘接。本实用新型结构简小,散热效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN205211734U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都海威华芯科技有限公司;

    申请/专利号CN201521108274.9

  • 发明设计人 孔欣;

    申请日2015-12-25

  • 分类号

  • 代理机构成都华风专利事务所(普通合伙);

  • 代理人胡川

  • 地址 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

  • 入库时间 2022-08-22 01:20:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-04

    授权

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