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机译:MOVPE使用邻近GaAs衬底生长的GaAs / AlGaAs量子阱的性质
Laboratory of Physics of Nanostructures, Institute of Quantum Electronics and Photonics, School of Basic Sciences, Ecole Polytechnique Federals de Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland;
A1. Crystal morphology; A1. Interface; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:GaAs-(111)B衬底上生长的GaAsP / AlGaAs应变层量子阱的光学性质
机译:MOVPE制备的<111>取向的GaAs / AlGaAs和inGaAs / GaAs量子阱结构及其光学和应变感应压电特性
机译:在邻近GaAs(001)衬底上生长的InxGa1-xAs / GaAs量子阱的光学和结构性质的研究
机译:(001)vicinal gaas基材对低温生长的GaAs / Algaas多量子阱中缺陷的光学性质的影响
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:在邻近平面衬底上生长的GaAs / AlGaAs量子阱的各向异性激发光谱
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构