机译:砷压力对分子束外延生长GaInNAs / GaAs量子阱的光致发光和结构性质的影响
Tampere Univ Technol, Optoelect Res Ctr, FI-33101 Tampere, Finland;
photoluminescence; molecular beam epitaxy; quantum wells; dilute nitride alloys; GAASN; GANXAS1-X; ALLOYS;
机译:不同砷压力下分子束外延生长的GaInNAs / GaAs量子阱的光致发光和结构性质
机译:固体源分子束外延生长的GaInNAs / GaAs量子阱的温度异常的光致发光特性
机译:离子辅助氮在等离子体辅助分子束外延生长的GaInNAs / GaAs量子阱的光学和结构性质中的作用
机译:分子束外延生长的应变补偿GaInNAs / GaAs / GaAs量子阱结构的光致发光研究
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长GaInNAs和GaInNAs(Sb)量子阱的光电流和光致发光研究