机译:AlGaN势垒中具有不同Al摩尔分数的Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构场效应晶体管
Institute of Microelectronics & Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, No. 1, University Road, Tainan 70101, Taiwan;
AlGaN/GaN; Mg-doped layer; Al composition; HFET;
机译:具有InGaN背势垒的Al_xGa_(1-x)N / AlN / GaN高电子迁移率晶体管的摩尔内分数和层厚度的数值优化
机译:超声喷雾热解沉积技术制备梯度势垒Al_xGa_(1-x)N / AIN / GaN / Si金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的比较研究
机译:Al摩尔分数不同的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中陷阱辅助隧穿的建模
机译:Al Mole分数对AL_XGA_(1-X)N / GAN HEMTS微波噪声性能的影响
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机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管