机译:闭空间升华技术制备的掺银碲化镉薄膜的物理性能
Quaid I Azam Univ, Dept Phys, Thermal Phys Lab, Islamabad 45320, Pakistan;
Hashemite Univ, Dept Phys, Zarqa, Jordan;
crystal structure; optical microscopy; recrystallization; substrates; cadmium compounds; semiconducting II-VI materials; HOT WALL EPITAXY; SOLID-STATE RECRYSTALLIZATION; SOLAR-CELLS; CDTE-FILMS; ZNTE; EFFICIENCY; GROWTH;
机译:密闭空间升华技术制备的富Te碲化镉薄膜的性能
机译:近距离升华技术制备Cd_xHg_(1-x)Te薄膜及其物理性能
机译:真空蒸发技术处理铜处理的碲化镉薄膜的物理性质
机译:氯化镉处理对近距离升升镉碲化镉薄膜太阳能电池的影响
机译:通过近距离升华和硫化镉/碲化镉太阳能电池沉积的硫化镉薄膜。
机译:模拟掩埋条件下碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池板中镉和碲的浸出
机译:氯化镉处理对近距离升华碲化镉薄膜太阳能电池的影响
机译:电沉积法制备多晶薄膜碲化镉太阳电池;