利用近空间升华法在较高的源温度下制备CdTe薄膜

摘要

利用近空间升华法在较高的源温度650℃和700℃下制备了CdTe薄膜,使用EDS、XRD、SEM和UV-Vis-NIR系统地研究了CdTe薄膜的化学组成、晶体结构、表面形貌和光学带隙。EDS结果表明在源温度为650℃和700℃下制备的薄膜Cd与Te两种元素的化学计量比分别为1∶0.98和1∶0.95;XRD结果表明在源温度为650℃和700℃条件下制备的CdTe薄膜均在2θ=24.027°、39.741°、46.977°、57.461°、63.177°、72.132°和77.280°处出现了衍射峰,将其与CdTe晶体标准衍射卡片(JCPDS75-2086)对比,可知各衍射峰分别对应于CdTe晶体的(111)、(220)、(311)、(400)、(331)、(422)、(511)晶面,且择优取向均为(111)面,在源温度为700℃条件下制备的CdTe薄膜的结晶程度更好；SEM结果表明源温度为650℃时晶粒尺寸约为1μm,而源温度为700℃时颗粒尺寸明显增大,约为5μm；在源温度为650℃和源温度为700℃下制备的薄膜的禁带宽度分别为1.44eV和1.43eV。