机译:通过有机金属化学气相沉积法在异质外延N面和Ga面GaN膜中掺入杂质
Electrical and Computer Engineering Department, University of California, Mailbox #219, Santa Barbara, CA 93106, USA;
A1. Impurities; A1. N-polar; A1. Polarity; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;
机译:金属有机化学气相沉积法生长的GaN薄膜中掺杂物的晶体学取向依赖性和杂质掺入
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