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目录
第一章 绪论
1.1 GaN材料的研究及发展
1.2 非极性GaN HEMT的研究发展及问题
1.3本论文的工作及内容安排
第二章 非极性GaN基器件相关理论模型
2.1 GaN材料极性与非极性的差异
2.2 二维电子气的各向异性输运理论
2 .3 非极性GaN基器件的散射机制
2 .4 非极性面AlGaN/GaN异质结的研究基础
第三章 各向异性散射影响下的非极性面AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率
3 . 1 非极性面AlGaN/GaN异质结界面的三种各向异性散射
3 . 2 各向异性散射对2DEG影响的基本模型
3 . 3 三种散射机制对2DEG迁移率的影响
第四章 基底堆垛层错影响下的非极性面AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率
4 . 1 基底堆垛层错影响2DEG迁移率的理论模型
4 . 2 基底堆垛层错的特征参数随2D EG浓度的变化
4 . 3 基底堆垛层错对2DEG迁移率的影响
第五章 总结
参考文献
致谢
作者简介
1. 基本情况
2. 教育背景
3. 攻读硕士学位期间的研究成果