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GaN／GaAs异质结构中大密度面缺陷的分析

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运用高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论

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来源
《第六届全国固体薄膜学术会议》|1998年|181-183|共3页
会议地点成都
作者
韩培德; 杨海峰; 杨辉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
GaN/GaAs异质结构; 大密度面缺陷;

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