机译:金属化学 - 气相沉积Ga-Face and N-Face GaN膜的带弯曲的表征
机译:通过有机金属化学气相沉积法在异质外延N面和Ga面GaN膜中掺入杂质
机译:Al欧姆接触的激光辐照Ga-面和N-面n-GaN的界面能带弯曲
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的Ga面GaN金属氧化物半导体电容器上原位AI_2O_3的固定电荷和陷阱态
机译:V / III流量比和Si掺杂浓度对蓝宝石衬底上有机金属化学气相沉积法生长的GaN的影响
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:金属有机化学气相沉积法生长的n-GaN中的等离子体蚀刻增强深中心
机译:金属有机化学气相沉积法生长高质量GaN异质外延薄膜