机译:W_(18)O_(49)纳米线的低温合成和电输运性质
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, People's Republic of China;
A1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials;
机译:掺杂镧系元素的W_(18)O_(49)纳米线:合成,结构与光学性质
机译:通过电处理提高大面积W_(18)O_(49)纳米线薄膜的场致发射均匀性
机译:图案化的W_(18)O_(49)纳米线垂直阵列的受控合成和通过原位等离子体处理改善的场发射性能
机译:W_(18)O_(49)纳米棒的容易合成和光催化性能
机译:单个分层过渡金属二卤化碳纳米管和纳米线的合成和电性能测量。
机译:NiCo2O4纳米线的温度依赖性电传输性质
机译:氮掺杂氧化钨纳米线:Si的低温合成以及电,光和场发射特性
机译:缺陷对GaN纳米线电输运,光学性质和失效机理的影响