原子氧暴露对W18O49纳米线薄膜阴极表面隧穿特性的影响

摘要

本文着重研究了原子氧暴露对W18O49纳米线薄膜表面价态、组分及其场致电子隧穿特性的影响.结果表明:原子氧暴露会导致W18O49纳米线表面(w5+/w6+)含量降低41.7％,同时暴露后的表面功函数增加～0.29 eV,这是源于表面电偶极子引起的能带弯曲.基于Fowler-Nordheim (F-N)理论曲线与实验曲线能较好吻合,提出了引起W18O49纳米线薄膜表面隧穿特性下降的直接原因.