机译:作为补偿其暴露的边缘的收缩的影响的方式,电容器补偿了暴露的边缘的收缩的影响,并且在电阻器空IC表面上补偿了收缩的影响。
公开/公告号JP3744005B2
专利类型
公开/公告日2006-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 シリコン システムズ インコーポレーテッド;
申请/专利号JP19930030620
发明设计人 ジェイムズ ダンクリー;
申请日1993-02-19
分类号H01L27/04;H01L21/822;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:48:41