第一章 绪 论
1.1 引言
1.2 光电导效应
1.2.1 正光电导效应
1.2.2 负光电导效应
1.3 三氧化钨的研究现状
1.3.1 三氧化钨的晶格和能带结构
1.3.2 WO3的电输运性质
1.4 本文的研究内容及研究意义
第二章 h-WO3纳米线的制备及测试平台的搭建
2.1 引言
2.2 h-WO3纳米线的制备
2.2.1 实验设备及试剂
2.2.2 h-WO3纳米线的制备流程
2.3 h-WO3纳米线的表征
2.4 本章小结
第三章 h-WO3纳米线电输运性质的研究
3.1 引言
3.2 构筑h-WO3的纳米器件
3.2.1 实验设备及材料
3.2.2 器件Au/h-WO3纳米线/Au的工艺流程
3.3 电输运测试平台的搭建
3.4 基于器件Au/h-WO3纳米线/Au的电输运测试
3.4.1 h-WO3纳米线的忆阻效应
3.4.2 扫描速率对h-WO3纳米线忆阻性能的影响
3.4.3 器件的单向整流特性
3.4.4 Au/h-WO3纳米线/Au的半导体-金属相变
3.5 本章小结
第四章 h-WO3纳米线的负光电导性质研究
4.1 引言
4.2 h-WO3纳米线在紫外光下的负光电导
4.2.1 相对湿度对h-WO3纳米线负光电导性质的影响
4.2.2 负光电导的物理机制
4.2.3 光强对h-WO3纳米线负光电导性质的影响
4.2.4 偏压对h-WO3纳米线负光电导性质的影响
4.3 h-WO3纳米线在红光下的负光电导
4.3.1 光强对h-WO3纳米线负光电导性质的影响
4.3.2 负光电导的物理机制
4.3.3 偏压对h-WO3纳米线负光电导性质的影响
4.3.4 有待探究的问题
4.4 负光电导在忆阻效应中的应用
4.5 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
参考文献
发表论文和科研情况说明
致谢
声明
