机译:CAD软件中亚微米GAN HEMTS DC特性的仿真与对比分析
Capital Univ Sci & Technol Dept Elect Engn Islamabad Pakistan;
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Submicron HEMTs; Nonlinear model; DC characteristics; Optimization;
机译:CAD软件中使用的亚微米GaN HEMT直流特性的仿真和比较分析
机译:AlGaN / GaN Hemt和MoShemt设备DC特性的建模与比较分析
机译:MBE在Si(111)和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的比较直流特性分析
机译:掺杂铁Fe和碳的GaN缓冲层对常开空气/ ALN / ALN / GAN晶体管直流静态特性掺杂GaN缓冲层的效果
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:基于物理的TCAD模拟和校准600 V GaN / AlGaN / GaN器件特性及界面陷阱分析
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)