机译:硫族化物材料电开关建模中的能带传输和局部态
Univ Modena & Reggio Emilia FIM Dept Via Campi 213-A I-41125 Modena Italy;
Univ Bologna DEI Dept Viale Risorgimento 2 I-40136 Bologna Italy;
Amorphous semiconductors; Chalcogenides; OTS; Charge transport; Memory devices; AIST; GST-225; Zn0.35Te0.65;
机译:压电材料中电边界条件和畴切换的建模
机译:Ovonic硫族化物材料和器件中电荷传输的多级建模
机译:使用逐步极化转换模型对压电材料的断裂行为进行建模
机译:基于硫族化物基相变存储器的带带内跳和带间跳变机制的三维电子阈值切换模型
机译:硫属硫属化物纳米板晶体在纳米结构材料中的热和热电传输
机译:基于第一原理的高性能半霍斯勒热电材料的能带结构和输运性质
机译:硫属化物和可切换的全电介质超材料的等离子体响应
机译:硫属化物玻璃电气开关电子输运的实验研究