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机译:沟道长度,栅极绝缘体厚度,栅极绝缘体材料和温度对纳米级FET性能的影响
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shahjalal University of Science and Technology;
Department of Electrical and Electronic Engineering, Shahjalal University of Science and Technology;
Materials Science Engineering and Commercialization, Texas State University;
Short-channel effects; DG MOSFET; CNTFET; Threshold voltage; Subthreshold swing; Ion/Ioffratio;
机译:纳米级双材料绝缘体上双栅极硅(SONI)和无金属硅(SON)MOSFET性能比较的分析模型
机译:间隔器上具有高k堆栈的纳米级栅下单层和双栅绝缘体上硅MOSFET的模拟/ RF性能研究
机译:具有高k /金属栅的高性能70 nm栅长绝缘体上锗锗pMOSFET
机译:高性能低于20 nm沟道长度的极薄绝缘体InAs三栅极MOSFET,具有高的短沟道效应抗扰度和Vth可调性
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:缩放栅绝缘子的厚度对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)性能的影响
机译:自对准Gaas mIsFET采用低温Gaas栅极绝缘体