机译:从GeH4到CaF2上外延蒸镀Ge
Sylvania Electric Products, Inc., Semiconductor Division, Woburn, Massachusetts;
机译:通过共沉积技术在SI(111)上合成具有CSCL和CAF2型立方结构的环氧三元CO1-XFEXSI2硅化物
机译:通过GeH4和SiH4的紫外线光解产生的GeH2和SiH2自由基低温生长外延Ge和Si膜的模型
机译:氢化物气相外延,金属有机化学气相沉积和外延横向过生长在n-GaN中空穴陷阱的比较
机译:RF PECVD用于氢化硅锗沉积的SiH4 / GeH4 / H2气体放电的建模和实验研究
机译:使用远程等离子体化学气相沉积沉积外延硅/硅锗/锗和新型高k栅极电介质。
机译:通过等离子化学气相沉积高速率和大面积外延硅膜的沉积
机译:siH4和GeH4低温化学气相沉积多晶锗硅合金的动力学
机译:等离子体增强CVD(化学气相沉积)对硅的低温外延沉积