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Kinetics of the Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Polycrystalline Germanium-Silicon Alloys from SiH4 and GeH4

机译:siH4和GeH4低温化学气相沉积多晶锗硅合金的动力学

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摘要

A Langmuir-Hinshelwood growth-rate equation is presented for the germanium-silicon (GeSi) alloy deposition fromGeH4 and SiH4 assuming dissociative chemisorption on a heterogeneous GeSi surface. Model parameters for the depositionkinetics have been extracted from measurements. The fit for the bond-energy of hydrogen to a germanium surface site is30 kJ mol–1, lower compared to that of hydrogen to a silicon site. We found to a good approximation the GeSi compositionof the alloy to be independent of the temperature. Moreover, the GeSi is polycrystalline down to the lowest depositiontemperature we used, ie., 450°C
机译:假设了在异质GeSi表面上的化学分解吸附作用,从GeH4和SiH4沉积锗硅(GeSi)合金时,给出了Langmuir-Hinshelwood生长速率方程。沉积动力学的模型参数已从测量中提取。氢到锗表面位点的键能适合度为30 kJ mol-1,比氢到硅位点的键能低。我们发现合金的GeSi组成与温度无关。而且,GeSi可以降低到我们使用的最低沉积温度(即450°C)

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