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机译:外延GaAs耿氏振荡器晶片的激光操作和光谱学
机译:基本频率为120 GHZ的基于AlGaAs / GaAs的平面Gunn二极管振荡器
机译:耿氏振荡器通过GaAs二极管实现W波段工作
机译:二次谐波GaAs GUNN振荡器的D波段操作
机译:以1.55 / splμm/ m的InAlGaAs / InP-AlGaAs / GaAs晶片融合可调谐VCSEL进行2 mW单模工作,并用980 nm激光器进行光泵浦
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:直接激光熔化硅晶片上的硅外延生长
机译:将注入式激光器与耿氏振荡器集成在一起半绝缘GaAs衬底
机译:毫米波自混合Inp和Gaas Gunn振荡器