机译:用于硅上Ge异质结构集成的薄SiGe虚拟衬底
机译:用于硅上Ge异质结构集成的薄SiGe虚拟衬底
机译:带有薄氧化层的绝缘硅衬底上的发光SiGe异质结构的生长
机译:通过He注入在薄的SiGe虚拟衬底上应变硅FET:减少自热对DC和RF性能的影响
机译:通过使用薄弛豫的SiGe膜作为虚拟衬底的直接晶圆键合在绝缘体上制造应变硅(SSOI)
机译:功能性氧化物薄膜异质结构与硅(100)衬底的集成。
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:用于在硅上集成Ge异质结构的薄siGe虚拟衬底