机译:用于高压应用的A1GAN / CAN HEMT中的重新工程过渡图层
Centre for Nano Science and Engineering Indian Institute of Science Bangalore 560012 India;
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机译:具有带电钝化层的高击穿电压AlGaN / GaN HEMT的设计和仿真,用于微波功率应用
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:高k钝化层的AlGaN GaN Hemts击穿电压分析及缓冲层中的高受体密度
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压