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机译:控制在锗上外延生长石墨烯的刻蚀坑的形成
IHP Leibniz Inst Innovat Mikroelekt Technol Pk 25 D-15236 Frankfurt Oder Germany;
机译:金属硅化物上单晶锗膜的原子控制外延生长
机译:B掺杂Sige的选择性外延生长和Si的Hcl蚀刻以形成Sige:b凹陷的源极和漏极(pmos晶体管)
机译:通过反应热化学气相沉积法在Si(001)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜
机译:在水中加载锗表面的蚀刻坑的形成
机译:在锗(001)衬底上生长外延锗(1-y)碳(y)层期间的碳结合。
机译:催化剂表面润湿性分析:外延锗纳米线生长的早期阶段
机译:锗石墨烯外延生长的蚀刻坑形成
机译:连续蚀刻对气相外延 - 氢化物法制备Inp生长速率和形貌的影响。