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机译:器件设计对Si / SiO_2单电子器件中电荷偏移漂移的影响
Univ Maryland, Joint Quantum Inst, College Pk, MD 20742 USA;
Calif State Univ San Marcos, Dept Phys, San Marcos, CA 92096 USA;
Calif State Univ San Marcos, Dept Phys, San Marcos, CA 92096 USA;
Calif State Univ San Marcos, Dept Phys, San Marcos, CA 92096 USA;
NIST, Phys Measurement Lab, Gaithersburg, MD 20899 USA;
NIST, Phys Measurement Lab, Gaithersburg, MD 20899 USA;
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-不同几何的基于Si / SiO $ _ {2} $的单电子器件中电荷偏移漂移的比较
机译:单电子器件的稳定性:电荷偏移漂移
机译:单电子器件的稳定性:电荷偏移漂移
机译:基于纳米光栅的单电子隧穿装置的偏移电荷分布
机译:背景电荷不敏感的单电子存储设备。
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