机译:低能量Ge预非晶化注入的射程结束对浅硼型材热稳定性的影响
Univ Florida, Dept Mat Sci & Engn, SWAMP Ctr, Gainesville, FL 32611 USA;
TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION; INTERSTITIAL CLUSTERS; SILICON; DEFECTS; SI; EVOLUTION; DISSOLUTION;
机译:掺杂剂分布对低能锗预非晶硅的范围缺陷末端的影响
机译:微波退火在超浅结Ge预非晶化注入结构中的硼活化和再结晶
机译:硅中低温BSi分子离子注入的快速热退火后的硼深度分布和残余损伤
机译:超浅硼和砷离子在不同温度下注入硅的过程中产生的损伤和掺杂分布,其特征为中能离子散射
机译:开发激光 - 火花多晶体离子系统 - 硼浅埋植入植入煤层及钡
机译:通过间隔物进行复杂的能量转移:基于蓝绿色分子间和橙色分子内热激活的延迟荧光具有增强的稳定性的白色电致发光
机译:Si中超浅B植入物的损伤特征与Kinchin Pease关系
机译:低能量(100至1500 EV)的范围剖面注入exp 3 He和exp 4 He in Tungsten。 II。分析与讨论。材料科学中心第4108号报告