机译:并五苯薄膜晶体管的薄膜和接触电阻:取决于薄膜厚度,电极几何形状以及与空穴迁移率的关系
机译:并五苯平面底部接触有机薄膜晶体管迁移率的厚度依赖性
机译:通过在并五苯和A11之间插入F_4-TCNQ,在并五苯基薄膜晶体管中实现低电极接触电阻
机译:并五苯薄膜晶体管迁移率的厚度依赖性
机译:通过氧等离子体处理对底电极的氧等离子体的增强空穴注入底部接触五烯有机薄膜晶体管
机译:并五苯薄膜晶体管的接触电阻和空穴迁移率。
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对顶部接触并五苯有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:柔性纸和玻璃基板上的并五苯有机薄膜晶体管。