University of Minnesota.;
机译:并五苯薄膜晶体管的薄膜和接触电阻:取决于薄膜厚度,电极几何形状以及与空穴迁移率的关系
机译:通过在并五苯和A11之间插入F_4-TCNQ,在并五苯基薄膜晶体管中实现低电极接触电阻
机译:通过使用MoO_x载流子注入层来降低底部接触并五苯薄膜晶体管的接触电阻
机译:用于底部接触并五苯有机薄膜晶体管的金电极上氧等离子体处理增强的空穴注入
机译:用于高性能WSe2和MoS2晶体管的二维低电阻触点。
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:光丙烯化聚酰亚胺的五苯基取向的新方法及其在薄膜晶体管中的应用。
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。