利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率

摘要

通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性.研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02) cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6 ±1.3)V降至(-30.1±1.2)V.