...
机译:金属栅对氮化钛/二氧化ha中n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中远程声子散射的影响-低温电子迁移率研究
机译:高温退火降低(110)Si衬底表面粗糙度对(110)Si上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:具有ZrO_2和Sm_2O_3栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率降解机制的温度依赖性
机译:温度对散射机制的作用限制了在(110)硅取向晶片上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:用于金属氧化物半导体栅极介电应用的二氧化硅远程等离子体氮化研究。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:氧化ha门控锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低温迁移率
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)