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机译:Ta和Ta / Bi / Bi缓冲层促进FePt薄膜中的有序促进和晶格解耦
机译:La掺杂的Bi_4Ti_3O_(12)缓冲层对PbZr_(0.58)Ti_(0.42)O_3 / Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)多层薄膜的结晶度和铁电性能的影响
机译:La掺杂Bi 4 sub> Ti 3 sub> O 12 sub>缓冲层对PbZr 0.58 sub>结晶度和铁电性能的影响Ti 0.42 sub> O 3 sub> / Bi 3.25 sub> La 0.75 sub> Ti 3 sub> O 12 sub>多层薄膜
机译:在降低的加工温度下用于高度有序的L1 FePt-氧化物薄膜薄膜介质的缓冲层
机译:PT缓冲层对外延扫描薄膜结构和磁性的影响
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:通过自组装的PtSe2缓冲层在SiO2 / Si上可扩展外延生长WSe2薄膜
机译:缓冲层用于在降低的加工温度下高度有序的L1(0)Fept氧化物薄膜颗粒介质