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张丽娇; 蔡建旺; 孟凡斌; 李养贤;
中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080;
河北工业大学材料学院,天津,300130;
FePt薄膜; L10相; 原子扩散;
机译:L1_0有序CuAu缓冲层的制备及其对FePt薄膜中L1_0有序的影响
机译:Ta和Ta / Bi / Bi缓冲层促进FePt薄膜中的有序促进和晶格解耦
机译:通过单原子层沉积增强FePt:Ag纳米复合薄膜中的L10有序化和(001)取向
机译:在线溅射系统制备的L10有序FePt颗粒薄膜用于HAMR应用
机译:随机取向的L10 FePt薄膜的磁化反转和热转换
机译:插入Ag纳米层的低温有序FePt薄膜的垂直磁化行为
机译:缓冲层用于在降低的加工温度下高度有序的L1(0)Fept氧化物薄膜颗粒介质
机译:化学计量 - 外延L10 Fept(001)薄膜中的各向异性连接
机译:具有(001)取向的L10有序FePt或FePtX薄膜的制造方法
机译:制造L10等级的Feed Nanodot阵列的方法,L10等级的Fept nanodot阵列的制造方法,该方法是使用L10等级的Fept nanodot阵列使用相同且高密度的磁记录介质制造的
机译:L10排序结构的FEPT纳米点阵,L10排序结构的FEPT纳米点阵的制造方法以及使用该阵列的高密度磁记录介质,能够应用于超高密度的磁记录介质通过使用毛细管力光刻术和控制工艺条件
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