首页> 中国专利> 相转变层的形成方法及使用该相转变层的相转变存储器件的制造方法

相转变层的形成方法及使用该相转变层的相转变存储器件的制造方法

摘要

本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。在形成相转变层的方法中,相转变层通过实施相转变材料的第一沉积工艺、实施蚀刻工艺以蚀刻相转变材料、以及在经蚀刻的相转变材料上实施相转变材料的第二沉积工艺而形成。蚀刻工艺和第二沉积工艺实施预定次数。

著录项

  • 公开/公告号CN101764089A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200910205432.5

  • 发明设计人 金炫弼;卢一喆;郑智元;

    申请日2009-10-23

  • 分类号H01L21/82;H01L45/00;

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾晋伟

  • 地址 韩国京畿道利川市

  • 入库时间 2023-12-18 00:18:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/82 申请公布日:20100630 申请日:20091023

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/82 申请日:20091023

    实质审查的生效

  • 2010-06-30

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号