公开/公告号CN101764089A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200910205432.5
申请日2009-10-23
分类号H01L21/82;H01L45/00;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人顾晋伟
地址 韩国京畿道利川市
入库时间 2023-12-18 00:18:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/82 申请公布日:20100630 申请日:20091023
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/82 申请日:20091023
实质审查的生效
2010-06-30
公开
公开
机译: 将氮化硅从α相转变为β相的方法,所使用的设备以及由其制成的氮化硅材料
机译: 半导体元件薄膜晶体管,有源矩阵薄膜晶体管显示器的制造方法,涉及将半导体化合物从气相转变为等离子体,并在基板上沉积产物
机译: 超微晶层形成方法,通过超微晶层形成方法产生的具有超微晶层的机械零件,以及用于制造机械零件的机械零件制造方法以及纳米晶层形成方法,该机械零件包括:通过纳米晶体层形成方法生产的纳米晶体层,以及用于制造机械零件的机械部件制造方法