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机译:单晶PrO_2(111)/ Si(111)异质结构的介电性能:非晶界面和电不稳定性
IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany;
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机译:晶格氧对单晶PrO_2(111)/ Si(111)支撑体系上异质外延Ge层初始生长行为的影响
机译:单晶epi-Si(111)/ Y2O3 / Pr2O3 / Si(111)异质结构的复杂界面和生长分析:通过氧化物缓冲液控制进行应变工程
机译:原子光滑且单晶的Ge(111)/ cubic-Pr2 sub> O3 sub>(111)/ Si(111)异质结构:结构和化学组成研究
机译:通过PrO2(111)异质结构在Si(111)上单晶Ge(111)层的异质外延集成
机译:使用脉冲电检测磁共振研究(111)取向的磷掺杂晶体硅与二氧化硅界面处的自旋相关跃迁和自旋相干性。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:alN成核层诱导应变对si(111)衬底上alGaN / GaN异质结电性能的影响
机译:通过脉冲激光烧蚀在无定形siO(sub 2)衬底上生长的(111)晶体CeO(sub 2)薄膜的形态和微观结构