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机译:Pt / La2O_3 / Ge栅堆叠中界面陷阱密度的提取以及Ge中电荷中性能级的确定
IBM Zurich Research GmbH, Zurich Research Laboratory, Saumerstrasse 4, 8803 Rilschlikon, Switzerland;
IBM Zurich Research GmbH, Zurich Research Laboratory, Saumerstrasse 4, 8803 Rilschlikon, Switzerland;
机译:(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr,Ti)O_3叠栅绝缘子的铁电栅薄膜晶体管的电学性质和界面电荷陷阱密度
机译:通过同步光学电荷泵送在栅极 - 全阵MOSFET中的接口捕集密度提取
机译:接口陷阱电荷对横向/垂直栅极堆叠GE / SI TFET-on-Selbox基板的设备级性能的影响
机译:高k / Ge栅堆叠中界面陷阱密度的提取和电荷中性水平的确定
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:基于PTB7的光伏电池中高PCE的起源:适当的电荷中性水平和PTB7 / PC71BM界面处的电荷分离自由能
机译:基于PTB7的光伏中的高PCE的起源:PTB7 / PC71BM接口的适当电荷中立水平和电荷分离的自由能量