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机译:接口陷阱电荷对横向/垂直栅极堆叠GE / SI TFET-on-Selbox基板的设备级性能的影响
IIT(BHU) Varanasi Uttar Pradesh India;
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IIT(BHU) Varanasi Uttar Pradesh India;
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Band-to-band tunneling (BTBT); Tunnel field-effect transistor (TFET); Heterojunction; Selective buried oxide (SELBOX); Interface trap charge (ITC);
机译:接口陷阱对源袋的电气性能特性对带HFO_2 / AL_2O_3横向堆叠栅极氧化物的源袋工程GE / SI异质结垂直TFET的影响
机译:接口陷阱电荷对二元材料型氧化物叠层双栅极TFET的模拟/ RF和线性性能的影响
机译:电荷陷阱层电导率控制对使用IGZO通道和ZnO电荷陷阱层的顶栅存储薄膜晶体管的器件性能的影响
机译:MOCVD ha基栅场电介质堆叠结构中的电荷俘获及其对器件性能的影响
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:高k复合材料与si的介电常数和导带相对水平在提高电荷俘获存储器件存储性能中的作用