机译:SiO_2 / HfO_2堆中多声子陷阱电离机制导致HfO_2中的电荷传输
Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia;
机译:SiO_2 / HfO_2或Al_2O_3 / HfO_2堆栈的非易失性存储器的可变氧化物厚度隧道势垒的电荷俘获特性
机译:HfO_2 / SiO_2堆中的载流子产生/俘获机制
机译:SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导电荷载流子产生/俘获及相关降解的比较
机译:HFO_2 / SiO_2和SiO_2 MOS栅极堆栈中载波传输机制的温度(5.6-300k)依赖性比较
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:共轭聚合物中的异常电荷传输揭示诱捕和渗透的潜在机制
机译:高效宽带高分散HfO_2 / SiO_2多层反射镜,用于近紫外脉冲压缩