...
机译:HfO_2 / SiO_2堆中的载流子产生/俘获机制
Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR;
hafnium oxide; High-k; border traps; acceptor and donor-like interface traps; proton transport;
机译:SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导电荷载流子产生/俘获及相关降解的比较
机译:HfAlO / SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导的电荷载流子产生/俘获相关降解
机译:SiO_2 / HfO_2堆中多声子陷阱电离机制导致HfO_2中的电荷传输
机译:HFO_2 / SiO_2和SiO_2 MOS栅极堆栈中载波传输机制的温度(5.6-300k)依赖性比较
机译:单半导体纳米晶体中的荧光闪烁和电荷载流子捕获的机理。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:原子层沉积多层HFO2 / Al2O3堆叠的传导和充电机构分析,用于电荷捕获闪存
机译:场掺杂单晶有机半导体中电荷载流子和陷阱的光谱学。