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机译:射频磁控溅射在(0001)ZnO和a-蓝宝石上生长的外延掺杂Al的ZnO薄膜的透射电子显微镜缺陷分析
Institute for Solar Fuels, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH (HZB), Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 Berlin, Germany,Metallurgy and Materials Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research (IGCAR), 603102 Kalpakkam, India;
Institute for Solar Fuels, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH (HZB), Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 Berlin, Germany;
Institute for Solar Fuels, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH (HZB), Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 Berlin, Germany;
机译:透射电子显微镜研究(0001)蓝宝石上外延ZnO薄膜的缺陷结构
机译:低温缓冲,射频功率和退火对射频磁控溅射生长的ZnO / Al_2O_3(0001)薄膜的结构和光学性能的影响
机译:射频磁控溅射法在Al203(0001)衬底上沉积高Ga掺杂的ZnO薄膜的外延生长和表征
机译:射频磁控溅射在蓝宝石衬底上生长的ZnO:2wt%Al外延膜的极图分析
机译:利用射频磁控溅射外延钛酸钡薄膜制造光电子器件的研究。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:错误:“低温缓冲液,RF功率和退火对由RF-磁控溅射生长的ZnO / Al2O3(0001)薄膜结构和光学性质的影响”J。苹果。物理。 106,023511(2009)