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Humidity sensor using nanostructured-multilayered Al-doped ZnO:TiO2 thin films

机译:纳米结构多层铝掺杂ZnO:TiO2薄膜的湿度传感器

摘要

electrode pattern (inter-digit Ag electrode) is formed of alumina (Al 2 O 3 ) of the two-layer structure on the substrate of titanium oxide / aluminum -doped zinc oxide (TiO 2 / Al-doped ZnO) and aluminum -doped zinc oxide / titanium (Al-doped ZnO / TiO 2 ) of the semiconductor film is a sol - gel was prepared by the method , the humidity sensor using the semiconductor thin film to the humidity sensing . The two-layer film has a semiconductor nanoparticle with a porous structure . The thickness of the second thin film layer is 513~587 nm, particle size of the two-layer film is a 11.3~24.6 nm.
机译:电极图案(指状Ag电极)由氧化钛/铝掺杂锌的基板上的两层结构的氧化铝(Al 2 O 3 )半导体膜的氧化物(TiO 2 / Al掺杂的ZnO)和铝掺杂的氧化锌/钛(Al掺杂的ZnO / TiO 2 )是一种溶胶-凝胶用该方法制备了湿度传感器,利用半导体薄膜对湿度进行感测。该两层膜具有具有多孔结构的半导体纳米颗粒。第二薄膜层的厚度为513〜587nm,两层膜的粒径为11.3〜24.6nm。

著录项

  • 公开/公告号KR100568458B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030010215

  • 发明设计人 태원필;

    申请日2003-02-13

  • 分类号G01N27/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:24:01

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