机译:在氧化的4H-SiC(0001)表面上消除缓冲的电荷中性外延石墨烯
Department of Physics, Southern Illinois University, Carbondale, Illinois 62901, USA;
Also at Materials Technology Center, Southern Illinois University, Carbondale, IL 62901, USA;
机译:在邻近4H-SiC(0001)表面上生长的外延石墨烯中电流输运各向异性的起源
机译:4H-SiC(0001)表面外延石墨烯层的第一性原理计算研究
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机译:4H-SiC(0001),(0001)和4H-SiC:H表面上物理吸附和化学吸附的单石墨烯层的密度泛函模拟
机译:在碳化硅{0001}表面上形成的外延石墨烯的结构研究。
机译:在离轴4H-SiC上生长的外延石墨烯的纳米级结构表征(0001)
机译:扫描隧道在纳米脊中诱导原子尺度运动 在4H-siC(0001)上生长的外延石墨烯的显微镜