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机译:4H-SiC(0001)表面外延石墨烯层的第一性原理计算研究
Ab initio calculationEnergy bandGrapheneSilicon carbideSurface defects;
机译:4H-SiC(0001)表面外延石墨烯层的第一性原理计算研究
机译:C端接的4H-SiC(0001′)表面合成的外延石墨烯层的结构缺陷-透射电子显微镜和密度泛函理论研究
机译:C端接的4H-SiC(0001)表面透射电子显微镜和密度泛函理论研究合成的外延石墨烯层的结构缺陷
机译:4H-SiC(0001),(0001)和4H-SiC:H表面上物理吸附和化学吸附的单石墨烯层的密度泛函模拟
机译:在碳化硅{0001}表面上形成的外延石墨烯的结构研究。
机译:在离轴4H-SiC上生长的外延石墨烯的纳米级结构表征(0001)
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长